派瑞林真空氣相沉積 參考價：5900
派瑞林真空氣相沉積是一種專業的產品，用于在材料表面上制備薄膜。它采用了在真空環境中使用氣相化學反應來沉積薄膜的過程。這種技術可以廣泛應用于各種行業，包括電子、光...
1200℃三溫區高真空CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃三溫區高真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片...
1500℃單溫區3路浮子供氣高真空CVD氣相沉積 參考價：面議
1500℃單溫區3路浮子供氣高真空CVD氣相沉積由1500℃單溫區管式爐、三路浮子流量計和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升...
全自動CVD滑軌爐氣相沉積系統 參考價：面議
全自動CVD滑軌爐氣相沉積系統由雙溫區滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。雙溫區滑軌爐可移動并可實現快速升降溫；四路質子流量計能夠準確控制系統的供氣；...
1200℃三溫區三通道混氣CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃三溫區三通道混氣CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如...
1200℃三溫區旋轉CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃三溫區旋轉CVD氣相沉積系統安裝有投料器和收料罐。1200℃三溫區旋轉自動進出料CVD系統投料器可以以額定速率將粉料送入爐管，可實現在氣氛保護的環境下...
兩通道CVD氣相沉積系統 參考價：面議
兩通道CVD氣相沉積系統帶水冷法蘭雙路流量計并配有雙極旋片泵、水冷機、數字真空計且該CVD系統可抽真空、通氣氛用于各種CVD實驗。
1200℃三通道CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃三通道CVD氣相沉積系統主要由：材料加熱、真空獲取、氣體測量和等離子發生器四大部分構成。可以滿足日常的大多數CVD實驗和各種科研要求。該CVD系統是材...
三溫區1600 CVD氣相沉積系統 參考價：面議
三溫區1600 CVD氣相沉積系統主要用于真空燒結、氣氛保護性燒結、真空鍍膜 各種材料煅燒、需要溫度梯度的各種CVD實驗
1200℃單溫區高真空CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃單溫區高真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片...
1200℃高真空CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃高真空CVD氣相沉積系統 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）表...
1200℃雙溫區高真空CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃雙溫區高真空CVD氣相沉積系統 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅...
1200℃三溫區高真空CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃三溫區高真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片...
1200℃雙溫區真空CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃雙溫區真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）...
ALD原子層沉積系統 參考價：面議
ALD原子層沉積系統系統是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設備，具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統通常用于半導體制造、納米技術、光電器件、以及其他高科技領...
雙溫區CVD氣相沉積系統 參考價：面議
雙溫區CVD氣相沉積系統由1200℃雙溫區管式爐、雙通道質量流量計和低噪音雙極旋片真空泵組成。雙溫區CVD系統管式爐的兩個溫區分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調...
1200℃雙溫區真空CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃雙溫區真空CVD氣相沉積系統由雙溫區管式爐、三路浮子流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐兩個溫區分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調節各個溫區的溫度，該管...
1200℃三溫區低真空CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃三溫區低真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片...
1200℃雙溫區CVD化學氣相沉積設備 參考價：面議
1200℃雙溫區CVD化學氣相沉積設備是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）...
1200℃低真空旋轉CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃低真空旋轉CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）...
1200℃金剛石膜CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃金剛石膜CVD氣相沉積系統 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）...
1200℃石墨烯CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1200℃石墨烯CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）表面...
1500℃碳納米管CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1500℃碳納米管CVD氣相沉積系統由1500℃單溫區管式爐、三路質量流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同...
1500℃半導體薄膜CVD氣相沉積系統 參考價：面議
1500℃半導體薄膜CVD氣相沉積系統由1500℃單溫區管式爐、三路浮子流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，...
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