晶圓檢查顯微鏡有什么應(yīng)用？

來源：上海力陽實(shí)業(yè)有限公司 2025年09月22日 09:49

　　晶圓檢查顯微鏡通過光學(xué)透鏡系統(tǒng)將晶圓表面的圖像放大，投射到目鏡或成像傳感器上，以便觀察和分析。部分顯微鏡還會(huì)利用不同的照明方式和對(duì)比技術(shù)，如明場、暗場、微分干涉相差(DIC)等，增強(qiáng)圖像的對(duì)比度，使缺陷和結(jié)構(gòu)特征更加清晰可見。

　　晶圓檢查顯微鏡的應(yīng)用如下：

　　1、晶圓表面缺陷檢測

　　冗余物檢測：通過50-1000倍放大，結(jié)合光學(xué)MIX照明，精準(zhǔn)定位納米級(jí)顆粒至微米級(jí)灰塵，避免電氣特性失效。

　　機(jī)械損傷分析：檢測化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)造成的弧狀劃痕，評(píng)估損傷對(duì)電路連通性的影響。

　　晶體缺陷甄別：利用DIC技術(shù)識(shí)別滑移線和堆垛層錯(cuò)，提高良品率。

　　2、光刻工藝質(zhì)量控制

　　圖案對(duì)準(zhǔn)精度檢測：驗(yàn)證光刻膠曝光與顯影形成的電路圖案是否符合設(shè)計(jì)要求，避免線寬偏差。

　　線寬均勻性分析：通過CD-SEM(電子束成像)或OCD(光學(xué)關(guān)鍵尺寸)設(shè)備，量測線寬變化，確保制程穩(wěn)定性。

　　3、封裝測試與失效分析

　　焊點(diǎn)質(zhì)量檢查：檢測焊點(diǎn)形狀、大小及虛焊、短路等缺陷，保障封裝可靠性。

　　層間對(duì)準(zhǔn)與厚度測量：驗(yàn)證多層金屬/介質(zhì)層的疊加精度，測量層間厚度變化，符合設(shè)計(jì)規(guī)范。

　　透射電子顯微鏡(TEM)分析：提供原子級(jí)分辨的截面圖像，結(jié)合能譜分析元素分布，定位失效根源。

　　4、制程支持

　　化合物半導(dǎo)體檢測：如碳化硅(SiC)襯底缺陷成像，支持光致發(fā)光檢測通道，清晰呈現(xiàn)晶格缺陷。

　　3D結(jié)構(gòu)觀察：通過多角度傾斜與旋轉(zhuǎn)樣品，檢測三維堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)準(zhǔn)精度與界面質(zhì)量。

相關(guān)產(chǎn)品

免責(zé)聲明

凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

晶圓檢查顯微鏡有什么應(yīng)用？

免責(zé)聲明

聯(lián)系我們

關(guān)注我們