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等離子體原子層沉積技術通過結合等離子體活化與原子層沉積的自限性反應機制，正在電子器件制造領域展現出潛力。 
在半導體器件制造方面，實現了原子級精度的薄膜沉積，特別適用于高介電常數柵極介質和金屬氧化物晶體管的制備。等離子體的引入降低了沉積溫度，使熱敏感器件的制造成為可能。其優異的階梯覆蓋能力解決了傳統工藝在高深寬比結構中的沉積難題，為3DNAND閃存等立體器件的發展提供了關鍵技術支持。
封裝領域正受益于等離子體原子層沉積技術的優勢。通過精確控制薄膜厚度和界面質量，該技術可制備高性能的擴散阻擋層和種子層，提升芯片互連的可靠性。低溫工藝特性使其特別適合晶圓級封裝等溫度敏感制程，為異質集成開辟了新途徑。
二維材料電子器件制造中，展現出優勢。其原子級沉積精度可實現石墨烯、過渡金屬硫化物等二維材料的表面改性，調控其電學性能。等離子體處理還能有效清潔材料表面，提高器件性能一致性。
光電器件制造同樣從技術中獲益。通過精確制備光學薄膜和界面層，該技術可優化太陽能電池的光吸收效率和LED的發光性能。低溫工藝使其適用于柔性光電子器件的開發，推動可穿戴設備創新。
隨著電子器件向更小尺寸、更高性能方向發展，等離子體原子層沉積技術的優勢將更加凸顯。
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