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SiC外延片測(cè)試方案
閱讀：459 發(fā)布時(shí)間：2023-3-15
SiC由于其禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子的飽和漂移速度大、臨界擊穿電壓高和介電常數(shù)低等特點(diǎn)，在高頻、高功率、耐高溫的半導(dǎo)體功率器件和紫外探測(cè)器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，特別是在電動(dòng)汽車、電源、航天等領(lǐng)域備受歡迎。
外延材料是實(shí)現(xiàn)器件制造的關(guān)鍵，主要技術(shù)指標(biāo)有外延層厚度、晶格布局，材料結(jié)構(gòu)，形貌以及物理性質(zhì)，表面粗糙度和摻雜濃度等。本文闡述了SiC外延表面常見的測(cè)試手段。
本解決方案詳細(xì)闡述了如何檢測(cè)SiC外延層厚度、晶格布局，材料結(jié)構(gòu)，形貌以及物理性質(zhì)，表面粗糙度和摻雜濃度。如果需要查看完整的文章，請(qǐng)聯(lián)系我們。