半導體激光器(又稱激光二極管)是一種將電能直接轉換為高相干性激光的半導體器件，其核心原理基于受激輻射與光學諧振放大，具有體積小、效率高、壽命長、易調制等優點，廣泛應用于通信、工業等領域。
在光纖通信中，半導體激光器作為核心光源，實現高速光信號傳輸；光存儲領域用于光盤讀寫；激光打印通過半導體激光器進行文字或圖像輸出；測距和雷達系統則利用其高精度定位能力進行目標探測。
半導體激光器的工作基于PN 結的電子 - 空穴復合發光，具體過程可分為 3 步：
載流子注入：在 PN 結兩端施加正向電壓，外部電流將電子從 N 區注入到 P 區，同時將空穴從 P 區注入到 N 區，形成非平衡載流子。
受激輻射：注入的電子與空穴在 PN 結的 “激活區” 相遇并復合，復合過程中會釋放出特定能量的光子(能量對應激光波長)。
光振蕩放大：PN 結兩端的反射鏡(或半導體材料的天然解理面)構成 “光學諧振腔”，讓光子在腔內反復反射，不斷激發更多電子 - 空穴復合產生新光子，形成強度足夠、方向集中的激光輸出。
主要技術特點
體積小、重量輕：核心器件可集成在芯片級尺寸上，適合小型化設備(如手機人臉識別模組、激光筆)。
電光效率高：能量轉化效率可達 30%-60%(遠高于傳統氣體激光器)，功耗低，發熱控制難度小。
壽命長、穩定性好：工業級產品壽命普遍超過 1 萬小時，部分型號可達 10 萬小時，適合長期連續工作。
波長覆蓋廣：可實現從紫外(200nm 左右)到紅外(數微米)的寬波長輸出，能滿足不同場景需求(如紫外用于光刻，紅外用于光纖通信)。
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